Samsung acelera desenvolvimento de HBM4E para competir com SK Hynix

Introdução

Desde que entrei no mundo de tecnologia de memória, sabia que a corrida entre fabricantes de DRAM de alta largura de banda (HBM) seria um dos campos mais quentes no futuro da computação, especialmente com o crescimento da inteligência artificial. Eu acompanho de perto cada avanço, cada anúncio, cada especificação nova — porque sei que isso impacta não só os supercomputadores e data centers, mas tudo que depende de performance de memória: GPUs, aceleradores de IA, até mesmo aplicações que nem imaginamos ainda.

Recentemente, chamou muito a minha atenção como a Samsung está correndo para desenvolver sua versão HBM4E, buscando superar suas limitações presentes e alcançar ou ultrapassar o que a SK Hynix já está negociando em parâmetros similares. O que isso significa na prática? Para mim, significa que estamos em um ponto de virada: a eficiência energética, a largura de banda, a densidade, tudo está sendo demandado mais ainda — e só quem entregar primeiro (e com qualidade) vai ganhar os contratos mais ambiciosos.

Vou te mostrar, baseado em tudo que apurei, o que exatamente está rolando com o desenvolvimento da HBM4E na Samsung, como isso se compara com os concorrentes, quais são os desafios, e por que isso é importante para quem vive mexendo com IA, computação de alto desempenho ou simplesmente tecnologia de ponta.

O que é HBM4E e por que ela importa

Antes de seguir pra comparar Samsung x SK Hynix, deixa eu te situar bem sobre o que é essa tecnologia e por que ela está sendo tão visada.

HBM (High Bandwidth Memory) já é uma memória empilhada (“stacked memory”) usada para tarefas que demandam altíssima largura de banda, baixa latência e consumo de energia eficiente — exigências críticas em GPUs modernas, aceleradores de IA, supercomputação. Cada nova geração de HBM busca:

maior largura de banda (mais dados trafegando por segundo)
maior densidade (mais capacidade por pilha)
menor consumo energético por bit
avanços em empilhamento, interconexão entre camadas, processo de fabricação etc.

HBM4 é a próxima geração que muitos esperavam; HBM3E é a geração atual/recente com melhorias sobre HBM3. E HBM4E é uma versão estendida ou aprimorada de HBM4, com ajustes para desempenho extra, densidades maiores, talvez frequências mais altas, eficiência melhor, etc.

Ela importa por que:

A IA está explodindo — os modelos ficam maiores, exigindo memórias cada vez mais rápidas para alimentar os processadores.
O consumo de energia é crítico — não dá pra só colocar mais velocidade; calor, eficiência, consumo em data centers importam demais.
Vantagem de mercado: quem conseguir entregar HBM4E robusto primeiro pode ser parceiro de empresas gigantes (NVIDIA, Meta, Microsoft, etc.), fechar contratos bilionários.

O que a Samsung está propondo / já anunciando sobre sua HBM4E

Aqui entram os detalhes que achei mais interessantes, o que já se sabe (e o que ainda é especulação) sobre o que a Samsung pretende alcançar com a HBM4E — e como ela está acelerando o desenvolvimento.

Especificação / Meta	O que a Samsung está mirando
Largura de banda (bandwidth)	Objetivo de ≈ 3,25 TB/s por stack com HBM4E até ~2027. (Hardware.com.br)
Velocidade por pino (Gbps por pin)	Meta de ≥ 13 Gbps por pino. (Hardware.com.br)
Interface / número de pinos	Usar 2.048 pinos de I/O. (Hardware.com.br)
Eficiência energética	Promessa de mais que o dobro da eficiência de HBM3E (ou seja, menor energia por bit). (Hardware.com.br)
Data alvo de produção	Produção prevista para ~2027 para HBM4E com essas metas. (Hardware.com.br)
Capacidade (densidade / camadas)	Hazards de 32 Gb DRAM dice, possibilidade de pilhas de 16 camadas, stack de 64 GB, etc.

Além disso:

A Samsung aumentou suas metas de HBM4E de 10 Gbps por pino para 13 Gbps, motivada pelas demandas de clientes como a NVIDIA. (Hardware.com.br)
Ela parece estar acelerando cronogramas que anteriormente contemplavam níveis de desempenho mais modestos. (SMBOM)

O que a SK Hynix está fazendo/estimativas de comparação

Para entender a competição, é essencial ver onde a SK Hynix está agora, o que já entregou, o que está preparando, e como suas metas se comparam às da Samsung.

A SK Hynix concluiu o desenvolvimento da memória HBM4 básica, com interface de 2.048 bits e velocidades prometidas de cerca de 10 GT/s para uso em aceleradores de IA. (Tom's Hardware)
Também há relatos de que a SK Hynix pretende lançar ou acelerar HBM4E para ~2026. (Avalache Notícias)
Densidade: pilhas com 12 camadas e 36 GB já estão sendo enviadas como amostras. Para HBM4E, espera-se que camadas possam aumentar (16 camadas ou mais), e capacidades de 48 GB ou até 64 GB por stack. (Avalache Notícias)

Comparação clara: Samsung vs SK Hynix (e outros)

Vou fazer uma comparação ponto a ponto, do que a Samsung promete vs o que a SK Hynix está fazendo ou prometendo, pra que fique claro quem está mais avançado em cada aspecto:

Aspecto	Samsung (HBM4E) — Méritos / metas	SK Hynix — Estado atual / metas comparativas
Velocidade por pino	≥ 13 Gbps por pino; meta agressiva. (Hardware.com.br)	Cerca de 10 GT/s para HBM4, planos para HBM4E com melhorias. (Tom's Hardware)
Interface / largura do barramento	2.048 pinos. (Hardware.com.br)	Também 2.048 bits no barramento em seus anúncios de HBM4. (Tom's Hardware)
Capacidade (número de camadas / densidade de DRAM dice)	Pilhas com até 16 camadas; uso de DRAM de 32 Gb dice para alcançar 64 GB por pilha.	SK Hynix já está com stacks de 12 camadas / 36 GB; planos para 16 camadas e cerca de 48 GB. (Avalache Notícias)
Produção / cronograma	Samsung mira produção ou metas mais firmes para ~2027 para HBM4E; desenvolvimento acelerado para cumprir requisitos de clientes como NVIDIA. (Hardware.com.br)	SK Hynix também acelera cronograma: HBM4E previsto para 2026. Amostras sendo enviadas. (Avalache Notícias)
Eficiência energética	Prometendo “mais que o dobro” da eficiência de HBM3E (energia por bit). (Hardware.com.br)	SK Hynix costuma citar eficiência nos seus anúncios, mas menos dados públicos comparativamente ao que a Samsung anunciou para HBM4E. (Tom's Hardware)

Desafios que a Samsung (e demais) precisa superar

Não é só promessa: para atingir os alvos de HBM4E que a Samsung quer, há uma série de obstáculos técnicos e de mercado. Eu, acompanhando isso de perto, vejo vários desafios:

Rendimento (yield) de produção
Produzir memória HBM com alta densidade, muitas camadas, velocidades altas, interface grande (muitos pinos) é difícil. Defeitos pequenos podem derrubar muito o rendimento, o que aumenta custo.
Interconexões entre camadas e dissipação térmica
Quanto mais camadas empilhadas, mais difícil fazer com que calor seja dissipado eficientemente e com que os sinais entre as camadas não sofram degradação. Também há tecnologias de empilhamento (“stacking”), interposers, TSVs (through-silicon vias), etc., que precisam estar bem resolvidas.
Consumo de energia versus performance
Aumentar velocidade por pino, número de camadas, densidade, tudo isso tende a aumentar consumo ou dificultar controle de calor. Se a eficiência energética não for muito bem feita, ganhos de velocidade podem ser perdidos em throttling ou consumo inaceitável.
Custos de fabricação e economia de escala
Novos processos (DRAM dice de alta densidade, lógica de base (base logic die), empilhamento, processos de 4nm ou similares) custam caro para desenvolver e escalar. É preciso que haja demanda suficiente para justificar esse investimento.
Padronização / compatibilidade / certificações
Empresas como NVIDIA, AMD, outros usuários de memória HBM exigem certificações rigorosas, compatibilidade, estabilidade. Não adianta só anunciar; tem que testar, garantir, entregar com qualidade, prazo.
Concorrência
SK Hynix e Micron também avançam, alguns muitos próximos. Então Samsung precisa entregar não só algo competitivo, mas algo que supere (ou pelo menos esteja lado a lado) antes de seus concorrentes se firmarem no mercado.

Por que essa disputa é tão estratégica

Posso falar com convicção: o desenvolvimento “quem chega primeiro” nesse cenário de memórias HBM de altíssima performance vai definir contratos, influência, e quem dita tecnologia para aceleradores de IA, data centers, pesquisa, etc.

Aqui vão alguns motivos pelos quais essa corrida está sendo levada tão a sério:

Demanda de IA: Modelos maiores, mais profundos, treinamentos pesados e workloads de inferência massiva exigem memórias ultra rápidas e com largura de banda enorme. Se a memória se tornar gargalo, nem o processador mais poderoso adianta.
Eficiência energética / custo operacional: Data centers pagam energia, refrigeração, manutenção; ganhos de eficiência significam menos gasto com eletricidade, menos aquecimento, menos infra extra.
Margens e lucratividade: Memórias como HBM são produtos “premium”, com preços elevados. Quem domina esse espaço ganha margens melhores, contratos duradouros.
Imagem de liderança tecnológica: Para empresas como Samsung e SK Hynix, estar na vanguarda reforça credibilidade, atrai mais parceiros, abre portas para inovações adjacentes (empilhamento 3D, interface, novos processos de litografia etc.).

Perguntas frequentes que surgem (e que eu mesmo já me perguntei)

Para deixar bem claro, respondo aqui algumas dúvidas que achei enquanto pesquisava, pra evitar confusão — talvez isso seja útil também para quem ler seu blog ou para quem tenta entender sem entrar em cada artigo técnico.

O que significa “GB por stack” ou “camadas de pilha (Hi)” em HBM?

Quando falamos de “stack” ou “pilha”, estamos nos referindo a várias camadas de chips de DRAM (each chip layer) empilhadas verticalmente. “12-Hi” significa 12 camadas (“Hi” de height), “16-Hi” significa 16 camadas, e assim por diante. Quanto mais camadas, maior a capacidade total da pilha.

Por exemplo, uma pilha de 12 camadas com chips de determinada densidade pode dar ~36 GB; com 16 camadas, ou usando DRAM dice de densidades maiores, pode-se chegar a ~48 GB, 64 GB ou mais. (Avalache Notícias)

Qual a diferença entre HBM4 e HBM4E?

HBM4 é a geração “base” padronizada (pelo JEDEC, por exemplo), com determinadas metas de desempenho, densidade etc.
HBM4E representa uma versão estendida — geralmente melhorias incrementais na interface, velocidades, densidades de DRAM dice, eficiência energética, possivelmente novos materiais ou técnicas de empilhamento.

As empresas costumam usar o “E” para indicar “Enhanced” (melhorada) ou extensões além do padrão. Samsung está apontando que sua HBM4E terá desempenho que ultrapassa a versão base de HBM4. (SMBOM)

Quando devemos esperar o uso comercial de HBM4E em larga escala?

Com base nos anúncios, cronogramas públicos e previsões:

Samsung mira produção significativa ou metas robustas rumo a 2027 para HBM4E com as metas mais agressivas que tem anunciado. (Hardware.com.br)
SK Hynix planeja lançar sua HBM4E ~ 2026. (Avalache Notícias)
Antes disso, deverão haver amostras, validações, certificações com clientes-chave como NVIDIA. Ou seja, o uso generalizado provavelmente será “em 2026-2028”, dependendo do segmento (data centers, IA pesada) e do quão rápido se resolvem desafios de rendimento e custos.

Minha visão: quem ganha ou quem levará vantagem

A partir do que estudei, tenho algumas impressões pessoais sobre quem está em melhor posição, quais fatores vão pesar mais, e possíveis cenários.

A SK Hynix parece estar ligeiramente à frente em termos de momento de execução para HBM4 e adiantamentos de HBM4E. Enviar amostras, ter stacks já com 12 camadas, etc., são sinais tangíveis.
A Samsung, por sua vez, está prometendo metas mais agressivas de velocidade por pino, interface, capacidade, e está respondendo diretamente a exigências de clientes (“queremos ≥ 13 Gbps por pino etc.”). Se conseguir cumprir essas promessas, pode ultrapassar ou pelo menos igualar seus concorrentes nesses parâmetros mais avançados.
A grande questão vai ser: qual empresa consegue conciliar velocidade, rendimento, custo e energia ao mesmo tempo. Focar só em performance sem rendimento ou sem energia aceitável pode gerar produtos de nicho ou produtos caros demais, com pouco volume.
Também pode haver diferenciação: algumas aplicações vão preferir memórias menos extremas mas mais baratas e confiáveis; outras vão pagar mais por desempenho máximo. Ou seja: talvez haja mercado para variantes de “HBM4E premium” e “HBM4/E mais moderado”.

Implicações para o mercado e para você

Se você lida com tecnologia, IA, ou simplesmente gosta de acompanhar inovações, o que tudo isso significa na prática?

Se você for desenvolvedor ou trabalhar com hardware/infraestrutura, vai ver pressão para exigir memória mais rápida, latência menor, ampliar caches, repensar arquitetura de software para tirar proveito da largura de banda crescente.
Se for investidor ou acompanhar negócios de semicondutores, empresas com processos avançados de DRAM, empilhamento, litografia menor (4nm, etc.) têm vantagem potencial nessa corrida.
Para consumidores finais, talvez demore um pouco para ver impacto direto nos produtos de uso comum, mas GPUs de alto desempenho, placas de data center, aceleradores IA, tudo isso tende a se beneficiar — e a justificar altos preços.
Ecossistema adjacente: empilhamento 3D, técnicas de arrefecimento, interposers, testes de integridade de sinais etc., tudo isso vai evoluir ou melhorar.

Conclusão

Em resumo: eu acredito que estamos vivendo um momento chave no desenvolvimento de memórias HBM. A Samsung está, de fato, acelerando muito para que sua HBM4E chegue com desempenho de ponta — largura de banda alta, muitos pinos, densidades grandes — e isso é uma resposta clara à pressão competitiva da SK Hynix (e também da Micron).

A competição é boa: ela força inovação, redução de custos, e isso eventualmente gera benefícios amplos (não só para grandes data centers, mas para todo mundo que depende de tecnologia de ponta). Mas também traz risco: se prometer demais e não entregar, ou se custo for alto demais, ou rendimento baixo, o produto pode ficar restrito.

Se eu fosse você — ou estivesse liderando um time de desenvolvimento ou tomando decisões de compra tecnológica — ficaria de olho nestes aspectos:

Verificar com quais clientes a Samsung está negociando a certificação da HBM4E;
Verificar os dados reais de rendimento quando as amostras chegarem;
Monitorar consumo de energia e custo por gigabyte ou por largura de banda, não só números teóricos;
Acompanhar a visibilidade do roadmap das concorrentes (SK Hynix, Micron), pois se uma delas entregar primeiro, pode dominar o mercado.

Call-to-Action

E aí, o que você acha disso tudo? Você acredita que a Samsung vai conseguir entregar a HBM4E conforme as ambições que anunciou? Quais aplicações você acha que vão ser as primeiras a se beneficiar disso? Deixe nos comentários — adoraria ver seus palpites.

Se quiser, posso mandar um artigo focado em como vai impactar GPUs de consumo ou IA em data centers — te interessa? Se sim, compartilha que preparo já. E se achou interessante, compartilha pra quem curte tecnologia de memória, vai que alguém precise desse panorama!

Samsung acelera desenvolvimento de HBM4E para competir com SK Hynix